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Y.Nakano: Trends in Applied Spectroscopy Vol.9, “Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Carbon-Related Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown by MOCVD”（分担執筆）, Research Trends, 2013.
中野由崇: GaNパワーデバイスの技術展開, 第4章 第2節「AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価」」（分担執筆）, サイエンス&テクノロジー, 2012.
N.Matsuki, Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Lozac’h, M.Sumiya: Solar Cells – New Aspects and Solutions, “Chapter 14: Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells” （分担執筆）, Intech, 2011.
中野由崇: 可視光応答型光触媒の実用化技術, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」（分担執筆）, シーエムシー出版, 2010.
Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: Recent Research Developments in Materials Science Vol. 7, “Chapter 3: Visible-Light Sensitivity in N-Doped ZnO Films”（分担執筆）, Research Signpost, 2007.
中野, 森川, 大脇, 多賀: 可視光応答型光触媒と光触媒応用製品―研究・開発・評価・実際技術―, 第3章「光触媒材料の半導体バンド構造解析について」（分担執筆）, 技術教育出版社, 2006.
Y.Nakano: Recent Research Developments in Applied Physics Vol. 8, “Chapter 2: Ion-Implantation Doping and Gate Insulators for GaN Power Devices”（分担執筆）, Transworld Research Network, 2006.
中野由崇: 可視光応答型光触媒―材料設計から実用化までのすべて―, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」（分担執筆）, シーエムシー出版, 2005.