加地徹, 杉本雅裕, 上杉勉, 上田博之, 中野由崇, 副島成雅 : 「半導体装置とその製造方法」 特許第6185508号 (2017).
上杉勉, 上田博之, 副島成雅, 杉本雅裕, 加地徹, 中野由崇 : 「半導体装置とその製造方法」 特許第6096523号 (2017).
中野由崇, 中村圭二 : ｢ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及びワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定装置｣ 特許第6023497号 (2016).
中村圭二, 中野由崇 : ｢半導体基板の表面モニター方法｣ 特許第5911351号 (2016).
中村圭二, 中野由崇, 郭穎, 菅井秀郎 : ｢半導体基板の状態測定及び状態測定装置｣ 特許第5667382号 (2014).
中野由崇, 松木伸行, 色川芳宏, 角谷正友 : ｢ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法｣ 特許第5541664号 (2014).
杉本雅裕, 加地徹, 中野由崇, 副島成雅, 上杉勉, 上田博之 : 「半導体装置とその製造方法」 特許第5221577号 (2013).
加地徹, 中野由崇 : 「III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体素子」 特許第4852786号 (2011).
杉本雅裕, 加地徹, 中野由崇, 上杉勉, 上田博之 : 「半導体装置とその製造方法」 特許第4744109号 (2011).
加地徹, 中野由崇, 上杉勉 : 「III族窒化物半導体を有する半導体素子」特許第4645753号 (2010).
加地徹, 中野由崇, 上杉勉 : 「III族窒化物半導体を有する半導体素子」特許第4645034号 (2010).
中野由崇, 野田浩司, 藤川久喜, 森川健志, 大脇健史 : 「有機材料の評価装置及び評価方法 」 特許第4645540号 (2010).
三浦昭二, 鈴木幹昌, 黒柳晃, 中野由崇 : 「MOSトランジスタ」 特許第4840551号 (2011).
中野由崇 : 「NOxガス検知半導体およびその製造方法」 特許第3314509号 (2002).
CN 100530687C (中国) ”III-V HEMT DEVICES”
US Patent 7777252 (米国) ”III-V HEMT DEVICES”
US Patent 7211839 (米国) “Group III nitride semiconductor device”
EP 1779438 (欧州) ”III-V HEMT DEVICES”
US Patent 6341066 (米国) “Electronic control unit having drive element and control processing element”
US Patent 6972459 (米国) ”Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster”
DE Patent 10225234 (ドイツ) ”Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster”