当研究室では、次世代パワー半導体の物性デバイス研究を行っています。中でも、キャリア輸送や信頼性などのデバイス特性に悪影響を及ぼす電気的な欠陥[欠陥準位]の評価・解析を重点的に行っています。半導体に電極形成しショットキーバリアダイオード(SBD)を作製後、分光波長掃引や温度掃引してショットキー接合の電気特性の過渡応答を高感度測定することで半導体欠陥物性をスペクトロスコピックに定量評価しています。主に、home-madeのSSPC/DLTS/TAS/VT-PL装置を用いて、バンドギャップ内に存在する欠陥準位のエネルギー状態密度分布を精密計測しています。物性デバイス研究は結晶成長・プロセス･デバイス特性の諸問題を多面的な物性評価から合理的に理解していくことが求められます。当研究室では民間企業・大学・国立研究所との産学官の共同研究を通して次世代パワー半導体に関する先端研究に取り組んでいます。
抵抗加熱式真空蒸着装置
小型スパッタ/直流エッチング装置 2台
触針式膜厚計
ワイヤボンディング装置
接触角測定装置
UV-VIS-NIR分光光度計
フィルター式ソーラーシミュレーター
定エネルギー分光照射装置
光導入式マニュアルプローバー
携帯型小型プローバー
水銀プローバー 3台
スピンコーター
RTA炉(RT-1200C)
クライオスタット（77K-573K）
電気･光学特性評価用クライオスタット（10K-480K）2台
電圧-電流特性測定装置
容量-電圧特性測定装置
容量-電圧特性測定装置
電子負荷装置
水銀キセノン光源
キセノン光源
ハロゲン光源
YAG266レーザ
裏面入射型CCD分光器
DLTS/TAS測定装置[10K-480K] (Deep-Level Transient Spectroscopy/Thermal Admittance Spectroscopy) /home-made/
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VT-PL測定装置[10K-300K] (Variable-Temperature Photoluminescence) /home-made/
![VT-PL測定装置[10K-300K] (Variable-Temperature Photoluminescence) /home-made/](/faculty/wp-content/uploads/sites/2/2023/04/nakano-yoshitaka-utility-23-1.jpg)